...取代目前工艺比较成熟的引线键合技术圈 主题:0 粉丝:0 圈主: 版主: 版主列表 上海环芯 硅通孔技术（Through Silicon Via, TSV）技术是一项高密度封装技术，正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术，被认为是第四代封装技术。
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三维(3D)矽穿孔(Through Silicon Via, TSV)的应用已相当广泛，目前至少用于包含影像感应器、快闪记忆体、动态随机存取记忆体(DRAM)、处理器(Processor)、现场可编程闸...
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Through-Silicon Via 穿孔技术 ; 技术 ; 硅基板穿孔 ; 硅穿孔技术
through-silicon via packaging 硅片直通孔封装技术
silicon-through-via 在硅通孔技术 ; 硅通孔技术
A via hole is formed in the substrate within the spirally patterned conductor layer, the via hole being formed by through silicon via (TSV).
介层洞形成于螺旋图案化导体层内部的基材中，该介层洞通过硅通孔技术制成。
The methods of 3d interconnection can be classified into the wire bonding, flip chip, through silicon via (TSV) and film wire technology, whose advantages and disadvantages are analyzed.
将实现3d互连的方法分为引线键合、倒装芯片、硅通孔、薄膜导线等，并对它们的优缺点进行了分析。
This article will review today's challenges, along with such future trends as integration and through-silicon via(TSV) technologies.
概述当今的挑战，以及这些集成和硅通孔技术的未来趋势。
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