” 相干公司已经探讨了talisker在硅通孔技术（silicon-through-via，stv）钻孔方面的应用，包括冲击法（激光光斑尺寸与硅通孔尺寸相同）和打眼法（小的光斑尺寸沿着一个圆环扫描切出...
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” 相干公司已经探讨了talisker在硅通孔技术（silicon-through-via，stv）钻孔方面的应用，包括冲击法（激光光斑尺寸与硅通孔尺寸相同）和打眼法（小的光斑尺寸沿着一个圆环扫描切出...
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Through-Silicon Via 穿孔技术 ; 技术 ; 硅基板穿孔 ; 硅穿孔技术
Through Silicon Via 硅通孔技术 ; 硅穿孔
through-silicon via packaging 硅片直通孔封装技术
The methods of 3d interconnection can be classified into the wire bonding, flip chip, through silicon via (TSV) and film wire technology, whose advantages and disadvantages are analyzed.
将实现3d互连的方法分为引线键合、倒装芯片、硅通孔、薄膜导线等，并对它们的优缺点进行了分析。
This article will review today's challenges, along with such future trends as integration and through-silicon via(TSV) technologies.
概述当今的挑战，以及这些集成和硅通孔技术的未来趋势。
A via hole is formed in the substrate within the spirally patterned conductor layer, the via hole being formed by through silicon via (TSV).
介层洞形成于螺旋图案化导体层内部的基材中，该介层洞通过硅通孔技术制成。
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