化学气相淀积指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备。
化学气相淀积（Chemical Vapor Deposition）是半导体集成电路制造的重要工序之一，主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生长。
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20世纪80年代以后，随着分子束外延（鹏E）、会属有机物化学气相淀积 （MovCD）等晶体生长新技术的F1益成熟和量子阱结构的出现，使得l，D的阂值电 流明显降低，转换效率和输出效率成倍增长，使用寿命也显著增长...
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主要方法是液相外延（P）．近年来人们也使 ELE法用了金属有机物化学气相淀积（MOCD）V法和分子束外延rE法。MB） 液相外延是在衬底材料上，利用饱和溶液淀积生长外延层。
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低压化学气相淀积 Low Pressure Chemical Vapor Deposition
金属有机化学气相淀积 MOCVD ; Metal-organic Chemical Vapor Deposition
常压化学气相淀积 APCVD
减压化学气相淀积 RPCVD
氧化化学气相淀积 oxidative chemical vapor deposition
化学气相淀积设备 chemical vapor deposition equipment
超高真空化学气相淀积 UHVCVD
化学气相淀积工艺 chemical vapor deposition method ; chemical vapor deposition,chemical vapor deposition method
激光激活化学气相淀积 laser activated chemical vapor deposition
·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
这个高的数值可以和从化学气相淀积外延得到的数值相比拟。
The higher value is comparable to those obtained in CVD epitaxy.
采用气凝胶与干凝胶两种催化剂载体通过化学气相淀积方法制备出螺旋状的碳纳米管。
Helical carbon nanotubes were synthesized by a chemical vapour deposition method from both silica aerogels and silica xerogels containing catalysts.
采用光化学气相淀积(光cvd)氮化硅薄膜进行器件的表面钝化，使整个器件提高了可靠性。
The devices were passivated by the thin film of Photo-CVD silicon nitride, we found that the reliability of the devices was to be raised.
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