...术（RPCVD） 是目 前生长S iG e／S i异质结薄膜材料的主流技术之一，相对于另一主流技术— — —超高真空化学气相淀积（UHVCVD），RPCVD具有工艺简便、生长快、无需背景超高真空等优点，是目 前S iG e／S i 异质结材料商用生长设备的首选技术［5-6］．由于是气...
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超高真空化学气相淀积
Ultra high vacuum chemical vapor deposition
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