...简要介绍了利用CVD方法制备Si3N4薄膜以及Si3N4薄膜的特性,详细介绍了低压化学气相淀积(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)LPCVD制备氮化硅的工艺。工艺制备中通过工艺参数的调整使批量生产的淀积膜的均匀性达到技术要求。
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超低压化学气相淀积 VLP-CVD
低压化学气相淀积
Low pressure chemical vapor deposition
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