采用减压化学气相淀积(RPCVD)技术在弛豫Si1-xGex虚拟衬底上赝晶生长应变硅层,以其为沟道材料制造得到的应变硅n-MOSFET表现出显著的性能提升.
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减压化学气相淀积
Reduced pressure chemical vapor deposition
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