n. SiON
misc. Silicon oxynitride ; SiOxNy
因此,集成器件公司(IDM)引入氮氧化硅(SiON)作为纯二氧化硅的替代材料。这项变革具备三条主要的优势:首先,显著减少PMOS器件中硼从多晶硅穿透进入栅电极绝缘层的数量,这有...
基于592个网页-相关网页
[0085] 第一间隔电介质组合层为氮氧化硅(SiNxOy),膜层厚度为:68.2nm ; [0086] 第三阻挡保护层为氧化镍铬(NiCrOx),膜层厚度为:0.3nm ;
基于16个网页-相关网页
·2,447,543篇论文数据,部分数据来源于NoteExpress
应用推荐