高通与台积电的高效能制程技术,以及具备氮氧化硅(silicon oxynitride,SiON)的低耗电高速制程技术。
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...目前在28纳米世代的合作包括高介电层/金属闸(high-kmetalgate，HKMG)的高效能工艺技术以及具备氮氧化硅(siliconoxynitride，SiON)的低耗电高速工艺技术。此外，高通预计于2010年年中投产首批28纳米产品。
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以及具备氮氧化硅
And silicon nitride oxide
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