...网 8纳米低耗电技术，同时配合双/三闸极氧化层(dual/triplegate oxide)工艺，将32纳米工艺所使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride，SiON))/多晶硅(polySi)材料延伸至28纳米工艺，使得半导体可以持续往先进工艺技术推进。
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...米低耗电技术，同时配合双/三闸极氧化层(dual/triplegate oxide)工艺，将32纳米工艺所使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride，SiON))/多晶硅(polySi)材料延伸至28纳米工艺，使得半导体可以持续往先进工艺技术推进。
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