例如，当使用氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNy)(x＞y)作为栅极绝缘薄膜4604时，在含氧的气氛中执行等离子处理以氧化栅极绝缘薄膜4604。
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在此，通过CVD 法来形成氧化硅、氧氮化硅(SiOxNy)(x ＞ y) 或氮 氧化硅(SiNxOy)(x ＞ y) 作为绝缘膜206a。
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SiOxNy films 硅氧氮薄膜
SiOxNy thin film SiOxNy薄膜
SiOxNy thin dielectric film SiOxNy薄介质膜
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