3、轻掺杂漏（LDD）:为了减小电压击穿效应，在紧邻沟道处建造一轻掺杂漏区 的MOSEFT。 4、窄沟道效应：沟道宽度变窄后的阈值电压的偏移。
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... layer 条理 ldd: lightly doped drain 轻掺杂漏 local defocus 局部失落焦因机台或晶片造成之脏污 ...
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轻掺杂漏极 lightly doped drain ; LDD
轻掺杂漏区 Lightly Doped Drain ; LDD
具有轻掺杂漏区偏移区 LDDOFFSET
轻掺杂漏MOSFET LDD MOSFET
注入形成轻掺杂漏区 LDD ; Lightly Doped Drain
轻掺杂漏
Light doping leakage
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