[技术摘要] 本发明公开了一种轻掺杂漏极(Lightly doped drain)结构的低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法。本发明以埋入式轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管来取代公知的表面式轻掺杂漏极结...
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虽未示出，在引入杂质元素时，优选形成LDD (轻掺杂漏极)区域。特别地，将LDD区域设置在向其中引入了带 有N型导电性的杂质元素(属于15族的元素，诸如磷(P )或砷(As )) 作为杂质元素的N型...
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