氧化铟锡(ITO，或者掺锡氧化铟)是一种铟（III族）氧化物(In2O3) and锡（IV族）氧化物(SnO2)的混合物，通常质量比为90%In2O3，10% SnO2。它在薄膜状时，透明，略显茶色。在块状态时，它呈黄偏灰色。 2017年10月27日，世界卫生组织国际癌症研究机构公布的致癌物清单初步整理参考，氧化铟锡在2B类致癌物清单中。
...处： 《功能材料》2005年02期 兵器材料科学与工程 超声化学共沉淀法合成纳米ITO粉体及其电磁特性研究 氧化铟锡(Indium tin oxide,简称ITO)是一种N型半导体材料,晶体呈复杂的体心立方铁锰矿型结构[1-2]。
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本发明基于石墨烯电极的智能调光膜,以一种用石墨烯薄膜替代ITO（氧化铟锡）作为电极的智能调光膜结构,以及针对石墨烯的特点而发明的在实际应用中导电电极的引出结构,不仅有效降低了智能调光膜的成本,而且大...
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... 氧化掩模 oxidation mask 氧化铟锡 tin indium oxide 氧铯阴极光电管 oxygen-caesium cathode phototube ...
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因此，氧化铟锡一维奈米结构有很大的潜力应用于光电元件系统。
Therefore, ITO nanowires may have potential applications for optoelectronic devices system.
采用溶胶-凝胶法，在氧化铟锡(ito)玻璃基质上制备氧化钨电致变色薄膜。
WO_ (3) electrochromic films were prepared on ITO glass substrates by the sol-gel method.
采用本发明的氧化锌透明电极取代传统的氧化铟锡透明电极，简化了制备工艺，降低了成本。
With the traditional tin indium oxide transparent electrode replaced by the zinc oxide transparent electrode of the invention, the manufacturing process is simplified and cost is lowered.
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