半导体的异质结是一种特殊的PN结，由两层以上不同的半导体材料薄膜依次沉积在同一基座上形成，这些材料具有不同的能带隙，它们可以是砷化镓之类的化合物，也可以是硅-锗之类的半导体合金。 半导体异质结构的二极管特性非常接近理想二极管。另外，通过调节半导体各材料层的厚度和能带隙，可以改变二极管电流与电压的响应参数。半导体异质结构对半导体技术具有重大影响，是高频晶体管和光电子器件的关键成分。
异质结（Heterojunction）：由两种不同元素或不同成分材料构成 的结。结两 边材料的禁带宽度不同，异质结器件有高放大倍数和响应速度。
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...摘要：阐述了异质结(HIT)太阳能电池的结构与特征，并从异质结能带结构的优化、非晶硅层的制备方法、背面场(BSF)的研究、衬底材料的选取以及发射极材料的革...
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异质结双极性晶体管 heterojunction bipolar transistor
异质结双极晶体管 HBT ; SiGe HBT ; InGaP HBT
异质结结构 heterojunction structure ; heterogeneous structure ; bulk heterojunction
异质结构 [电子] heterostructure ; hetero-junction ; GRINSCH ; Heterogeneous Structure
异质结双极型晶体管 HBT ; heterostructure bipolar transistor ; SiGe HBT
异质结激光器 heterolaser ; heterojunction laser
双异质结 DH ; double heterojunction ; double heterogeneous
异质结晶体管 heterojunctiontransistor ; HBT ; SiGe HBT
异质结面 heterojunction interface ; heterointerface
The appearance of SiGe material and SiGe/Si hetero-junction technology have changed this situation.
SiGe材料和Si／SiGe异质结技术的出现改变了这种状况。
参考来源 - SiGe快速开关功率二极管的器件模拟与分析·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
采用异质结超注原理分析了开关的电学性质；
The electricity character of the switch is analysed by theheterojunction ultra high injection principle.
通过推导，得出一个计算化合物半导体异质结内建电势的公式。
A formula is deduced to calculate the built-in voltage of the compound semiconductor.
使用X射线衍射和透射电镜分析，表明异质结是c轴取向外延生长。
X-ray diffraction and transmission electron microscopy establish that LCCO grew epitaxially inc-axis orientation on LCMO.
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