将双极晶体管中的发射结做成异质结形成的晶体管称为异质结双极晶体管。
...端，电路整体结构包括差分共射跨阻放大器（TIA）、限幅放大器（LA）以及输出缓冲级（Buffer）。采用SiGe异质结双极晶体管（HBT）作为输入级的差分共射跨阻放大器大大地减小了输入电阻，更好地展宽了频带。
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本项目开展基于成熟Si集成电路工艺的SiGe HBT(异质结双极晶体管)高增益、超宽带、低噪声放大器(LNA)的研究，主要包括进行基于Si工艺的LNA的稳定性和可靠性、噪声减少、增益平坦化优化设计方法研...
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Agilent在InP工艺上的投入使得该公司拥有了完备的InGaP HBT（异质结双极晶体管）集成电路技术，拥有了制造开关频率高达200GHz晶体管的能力。InP提供了不牺牲相关仪器可靠性和可制造性的能力。
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双异质结双极晶体管 DHBT ; double heterojunction bipolar transistor
锗硅异质结双极晶体管 SiGe HBT
单异质结双极晶体管 SHBT
硅锗异质结双极晶体管 SiGe HBT
高压异质结双极晶体管 HVHBT
异质结双极性晶体管 heterojunction bipolar transistor
异质结双极型晶体管 HBT ; heterostructure bipolar transistor ; SiGe HBT
异质结构双极晶体管 heterojunction bipolar transistor ; HBT
双异质结双极型晶体管 DHBT
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