发射区、基区和收集区由禁带宽度不同的材料制成的晶体管。W.B.肖克莱于1951年提出这种晶体管的概念。70年代中期，在解决了砷化镓的外延生长问题之后，这种晶体管才得到较快的发展。最初称为“宽发射区”晶体管。其主要特点是发射区材料的禁带宽度EgE大于基区材料的禁带宽度EgB。
在OEIC光接收机前端白勺设计中,异质结双极型晶体管(HBT)作为前端放大器,因为其能在保证特定增益白勺情况下改善器件白勺频率特性,在光纤通信等领域具有极其广阔白勺应用前景,并且可以和光...
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【正文快照】： 0引言硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)作为第一种“能带工程”的硅器件,因为其良好的性能和成熟的硅工艺,被广泛的应用在无线通信电路中。
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