采用高k介质（SiO2的k为3.9，高k材料为20以上）如氧氮化铪硅（HfSiON），相当于提升栅极的有效厚度，使漏电电流下降到10%以下。打通了通往32纳米及22纳米的通路，扫清工艺技术中的一大障碍。
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氮氧化铪硅 HfSiON
氮氧化硅铪 HfSiON
氧氮化铪硅
Silicon hafnium oxynitride
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