为此，晶圆厂已尝试运用包括减少导线间闸极氧化层(Gate Oxide)，或在16及14纳米制程增加动态电力密度，甚至采用更大型、更昂贵的次世代制程因应越趋复杂的设计，以解决秏电问题。
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高苑技术学院电子工程系杨耀升 高苑技术学院电子工程系杨耀升 闸极氧化层(Gate Oxidation) 在金属半电晶体中，闸极下方的二氧化矽薄膜必须是高品质 的绝缘材料，其基本功能类似电容器中的介电质，经由施加 于闸极上的电压...
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闸极氧化层完整性 GOI
超薄闸极氧化层 Ultra-Thin Gate Oxide
闸极氧化层
Gate oxide layer
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本论文中，我们尝试使用一氧化二氮电浆氮化处理，以改善二氧化铪闸极介电层的品质。
In this thesis, we try to use post-deposition N2O plasma nitridation to improve the HfO2 film quality.
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