新处理器采用了绝缘硅（silicon on insulator）和应变硅（strained silicon）两项技术的合并，这两项技术都能让处理器在高频下保持非常低的能耗。
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2003年9月，AMD公布了采用全耗尽型绝缘硅（Fully-depleted SOI， FDSOI）、硅锗、三栅（Tri-Gate）和镍硅金属栅（NiSi）的栅长为20 纳米的硅晶体管。
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2003年9月，AMD公布了采用全耗尽型绝缘硅（Fully-depleted SOI， FDSOI）、硅锗、三栅（Tri-Gate）和镍硅金属栅（NiSi）的栅长为20 纳米的硅晶体管。
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金属绝缘硅 MIS ; Metal Insulator Silicon
导热绝缘硅胶皮 silicone rubber thin film
纳米的绝缘硅 Sillicon-on-insulator ; SOI
绝缘体上硅 SOI ; Silicon on Insulator ; BESOI ; SSDOI
绝缘硅脂 insulating silicone grease
绝缘硅片 Silicon-on-insulator ; SOI
绝缘硅晶圆 Silicon-on-insulator wafer ; SOI
结合绝缘硅片 silicon-on-insulator ; SOI
通过使用绝缘硅 Silicon-on-Insulator ; SOI
研究了用于喇曼放大的绝缘硅(SOI)脊形波导中自由载流子寿命与非线性光学损耗的关系。
The lifetime of free carriers in a silicon-on-insulator (SOI) rib waveguide, which is used for Raman amplification, is studied in connection with the nonlinear optical loss.
这些膜使用三层导电材料，氮化钛制成，中间隔着硅土绝缘层。
These membranes are made of three layers of a conducting material, titanium nitride, separated by insulating layers of silica.
SOI指的是在IC的制造过程中采用硅+绝缘层+硅的硅基体结构方式，这种结构方式的优势是可以减小器件的寄生电容并改善器件的性能。
SOI refers to the use of a layered silicon-insulator-silicon substrate in IC manufacturing, which is said to reduce parasitic device capacitance and improve performance.
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