因此传统的LPCVD多晶矽(600度C)与氮化矽(800度C)等矽基(silicon-based)材料与制程,都不再..
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短语
矽基氮化镓
GaN-on-Si
矽基板
silicon substrate
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Silicon Sub-mount
氧化矽基砂
silica base sand
前瞻矽基元件与材料
Emerging Si-Based Devices and Materials
聚二甲基矽氧烷
PDMS
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Polydimethylsiloxane
再利用矽基板穿孔
Through-Si Via
聚甲基矽倍半氧烷
Polymethylsilsesquioxane
三乙基矽乙炔
Ethynyltriethylsilane
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acetylene
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Triethylsilylacetylene