...)：3DIC最大特点在于让不同功能性质，甚至不同基板的晶片，各自应用最合适的制程分别制作后，再利用矽基板穿孔（Through-Si Via, TSV ）技术进行立体堆叠整合，可缩短金属导线长度及连线电阻，更能减少晶片面积，具有体积小、整合度高、效率高、...
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再利用矽基板穿孔
Re-perforation of silicon substrate
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