所谓的界面态是指硅-二氧化硅界面处而能值位于硅禁带中的一些分立或连续的电子能级或能带。它们可在很短的时间内和衬底半导体交换电荷，故又称快界面态。称为快表面态的原因是为了和由吸附于二氧化硅外表面的分子/原子等所引起的外表面态加以区分。 界面态一般也分为施主和受主两种。不论能级在禁带中的位置如何，若能级被电子占据时呈电中性，施放电子后呈正电性，则都称为施主型界面态；若能级空着时为电中性状态，而接受电子后带负电，则称为受主型界面态。
... interface state 界面态 interface trapped charge 界面陷阱电荷 interfacial state 界面态 ...
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The producing process of the interface state at the total ion dose is primely analyzed using the interface state model.
该界面态产生模型能较好的阐述现今电离辐照下界面态产生的过程。
参考来源 - 非均匀沟道DMOS基本参数及其辐照理论的研究Due to the interface trap density, the C-V characteristics curve at high frequency has shown distortion.
通过分析和研究还发现,界面态存在时,高频C-V特性受到影响,从禁带中界面态的分布进行归纳,得到C-V曲线形变的规律。
参考来源 - 纳米SOI MOSFET的结构设计和性能分析It is the reducing of the interface state densities by NH_3 plasma pretreatment and subsequent annealing at a proper temperature that resulted in the enhancement of the EL intensity.
原因是电致发光时,Si衬底与SiN_x薄膜之间的界面态可能成为载流子的束缚中心,进而降低载流子的注入效率及发光强度,通过NH_3等离子体预处理,并经适当温度的热处理可以有效降低该界面态密度,从而使发光增强。
参考来源 - 富硅氮化硅薄膜的光电性能研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
作为应用例子，文中给出了局域界面态的计算。
An application is given here for the localised interface states.
这是因为有更多的界面态的影响，由于叉指式电极配置引入。
This is because that more influences of interface state were introduced due to the interdigital electrode configuration.
沟道掺杂浓度提高，同样的界面态密度造成的漏极特性漂移增大。
The shift of drain current induced by same interface states density increases with the increase of channel do - ping density.
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