GaN：提高内量子效率，如：采用 ELOG（横向外延过生长）技术，减少外延缺陷，提高晶格质量，优 化 MQW（多量子阱）的生长质量，达到提高光强目的，改变器件结构，提高光强和光电性能（如...
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Epitaxial Lateral Overgrowth
...二极管; 横向外延过生长; 综述 [gap=1758]Key words: patterned sapphire substrate; GaN; LED; epitaxial lateral overgrowth; review ...
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1．3．2横向外延过生长（LEOG）I外延技术 异质外延生长的GaN材料中存在很高的位错密度，高的位错密度是导致 器件老化的一个主要原因。
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