的GaN的外延横向过生长（ELOG）最近已被证明是合适的技术，显着地减少位错密度在金属有机汽相外延（MOVPE）或者氢化物气相外延（HVPE）的GaN。
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横向外延过生长 ELOG ; Epitaxial Lateral Overgrowth ; LEOG
横向外延过生长技术 Epitaxy of LateralOver-growth ; ELOG
外延横向过生长
Epitaxial transverse overgrowth
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通过使用HVPE的外延横向过生长实现连续的化合物半导体厚膜(15)或晶片的进一步的生长。
Further growth of continuous compound semiconductor thick films (15) or wafer is achieved by epitaxial lateral overgrowth using HVPE.
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