...半导体产业薄膜制程，在以前并未有平坦化技术所以在制程裡良率一直不 好，为了让产品良率以及提升产率平坦化制程(Planarization)是缺少不了的， 在许多制程中平坦化制程将分離出來自行成立一个部门，此部门就是专解决薄 膜表面问题。
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... planar magnetron sputtering system 平面磁控管溅镀体系 planarization 平展化 plane defect 面缺陷 ...
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Chemical Mechanical Planarization 化学机械抛光 ; 化学机械研磨 ; 又称化学机械平坦化
planarization algorithm [计] 平面化算法
planarization process 平坦化工艺
Al planarization 铝平坦化
Delayering Planarization 及其混合工序研磨
planarization fill 平坦化填入
planarization arithmetic 平面化算法
non-cmp planarization 非cmp平坦化
Chemical mechanicalpolishing is a solitary technology planarizing the wafer with local and global planarization, but the materialremoval mechanism of wafer CMP and the problems on process variables and technologies of CMP systemare not fully understood.
CMP是唯一能够实现硅片局部和全局平坦化的方法,但CMP的材料去除机理至今还没有完全理解、CMP系统过程变量和技术等方面的许多问题还没有完全弄清楚。
参考来源 - 超大规模集成电路制造中硅片化学机械抛光技术分析Currently, chemical mechanical Polishing (CMP) is the most effective technology for global and local planarization of the wafer in IC manufacturing.
目前,化学机械抛光技术(CMP)被认为是能够实现晶圆表面局部平坦化和全局平坦化的最佳方法。
参考来源 - 三工位CMP控制系统的设计与开发Spaces performance disposable lens, three-dimensional, realistic despite constantly simplify and planarization process, establish a set of its own modeling system.
空间表现亦弃透视、立体、写实于不顾,在不断简化和平面化的过程中,建立起一套自己的造型体系。
参考来源 - 符号式的表达·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
And the slopes of characteristic line sections represent planarization of film surface.
特征线段的斜率反映了薄膜表面的平面度。
The sacrificial layer is removed through an etching process such as chemical mechanical planarization.
该牺牲层是通过例如化学机械平面化的蚀刻工艺除去的。
Using the polishing pad with grooves or rougher surfaces can increase the material removal and planarization rate.
抛光垫粗糙的表面有利于提高材料去除率。
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