【正文快照】: 日前国内首次在半绝缘砷化镓衬底上采用常规器件工艺研制出室温下电流峰谷比(PVCR)大于5的RTD器件。共振隧穿二极管(简称RTD)是一种高频率高速成纳米电子器件,它具有高频率高速、低电压低功耗、负阻自锁和完成一笔...
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峰谷电流比 PVCR
So far, we have fabricated the first resonant tunneling transistor in our country, whose current peak-valley ratio (PVCR) reaches 47.
截至目前为止,本课题组和重点实验室合作,成功研制出国内第一只共振隧穿三极管,其电流峰谷比PVCR最高达到47。
参考来源 - 共振隧穿三极管模拟及研制的研究·2,447,543篇论文数据,部分数据来源于NoteExpress
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