由两个背靠背PN结构成的以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。
双极型晶体管 ( bipolar transistor ) ：一种晶体管，由一个发射极，基极和收集极组成．其行为通过由收集区注射到基区的少数载流子决定．有时也称NPN或PNP型晶体管来...
基于518个网页-相关网页
双极型晶体管( 双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor,英文缩写BJT) 英文缩写BJT Transistor,英文缩写BJT) 场效应管( 场效应管(Field Effect Transistor,英文缩写FET): 英文缩写FET):单...
基于66个网页-相关网页
绝缘栅双极型晶体管 IGBT ; Insulated Gate Bipolar Transistor ; Trench IGBT
异质结双极型晶体管 HBT ; heterostructure bipolar transistor ; SiGe HBT
双异质结双极型晶体管 DHBT
绝缘门极双极型晶体管 Isolated Gate Bipolar Transistor
硅双极型晶体管 Silicon bipolar junction transistor
极双极型晶体管 Isolated Gate Bipolar Transistor ; IGBT
双极结型晶体管 BJT ; bipolar junction transistor ; BJT-NRES NRES ; bipolar junction transistor--
栅双极型晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor ; IGBT
是双极型晶体管 Bipolar Junction Transistor ; BJT
·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
空间电磁脉冲注入硅双极型晶体管后可能会导致晶体管烧毁。
Bipolar junction transistors may be burned out by injected electromagnetic pulse.
在微波双极型晶体管中，收集区的厚度是影响其截止频率的一个重要因素。
The thickness of collector is one of the factors that limit cut-off frequency in microwave bipolar transistors.
该系统采用IGBT（绝缘栅双极型晶体管）器件，PWM（脉宽调制）控制技术。
The system adopted insulated gate bipolar transistor (IGBT) as its main circuit and pulse-width modulating (PWM) technology.
应用推荐