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横向外延过生长

网络释义

  ELOG

GaN:提高内量子效率,如:采用 ELOG横向外延过生长)技术,减少外延缺陷,提高晶格质量,优 化 MQW(多量子阱)的生长质量,达到提高光强目的,改变器件结构,提高光强和光电性能(如...

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  Epitaxial Lateral Overgrowth

...二极管; 横向外延过生长; 综述 [gap=1758]Key words: patterned sapphire substrate; GaN; LED; epitaxial lateral overgrowth; review ...

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  LEOG

1.3.2横向外延过生长LEOG)I外延技术 异质外延生长的GaN材料中存在很高的位错密度,高的位错密度是导致 器件老化的一个主要原因。

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  laterally epitaxial overgrown

...错密度,以 得到更高性憨的光电子及微电子器件,近年 来发展起一种称为“横向外延过生长(LEO, laterally epitaxial overgrown)”的新技术 旧,3,1”,其工艺如图2.I.4所示,在己生长的 GaN上蒸发Si02,然后光刻出图形...

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短语

横向外延过生长技术 Epitaxy of LateralOver-growth ; ELOG

外延横向过生长 ELOG

双语例句

  • 使用HVPE外延横向生长实现连续化合物半导体(15)晶片进一步生长

    Further growth of continuous compound semiconductor thick films (15) or wafer is achieved by epitaxial lateral overgrowth using HVPE.

    www.jidian198.com

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- 来自原声例句
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