场效应晶体管
场效应管
单极型晶体管
电阻
晶体管
功率
（a） （b）
源极
百科内容来自于：
源极
场效应管的结构原理
如图所示
N型半导体
栅极
漏极
三极管
发射极
集电极
实际的JFET结构和制造工艺比上述复杂。N沟道JFET的剖面图如图XX_01(c)所示。图中衬底和中间顶部都是P+型半导体，它们连接在一起（图中未画出）作为栅极g。分别与源极s和漏极d相连的N+区，是通过光刻和扩散等工艺来完成的隐埋层，其作用是为源极s、漏极d提供低阻通路。三个电极s、g、d分别由不同的铝接触层引出。
如果在一块P型半导体的两边各扩散一个高杂质浓度的N+区，就可以制成一个P沟道的结型场效应管。上图给出了这种管子的结构示意图和它在电路中的代表符号。由结型场效应管代表符号中栅极上的箭头方向，可以确认沟道的类型。共源极放大电路：
图XX_01
1．中频电压增
场效应管的输出电阻rd通常在几百千欧数量级，比电阻Rd、RL大得多，因此可将rd作开路处理，于是图XX_01(b)中 式中负号表示共源极放大电路的输出电压与输入电压相位相反，即共源放大电路属于反相电压放大电路。
2．输入电阻
由于场效应管栅极几乎不取信号电流，栅源极间的交流电阻可视为无穷大，因此，图XX_01所示共源极放大电路的输入电阻为
3．输出电阻
应用前面介绍过的求放大电路输出电阻的方法，可求得图XX_01所示电路的输出电。
由上述分析可知，与
放大
输入
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