（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。
n. source
misc. source electrode
有机EL面板画面不均原因之一，问题在于TFT的闸极(gate electrode)与 源极 ( source electrode )之间所产生的寄生电容，寄生电容的值会随著画面的某些部分而波动，因而产生亮度不均的现象。
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... 晶体管源极 transistorsource ; transistor source,transistor source 源极 衬底结 source substrate junction 源,源极 source ...
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浮动栅极定位于源极区与漏极区之间。
The floating gate is positioned between the source and drain regions.
硬开关(图26所示)几乎不考虑漏源极电压的最小值。
The hard switching approach (as shown in Fig. 26) doesn't consider the minimum drain-source voltage.
在半导体中的源极区和漏极区可以限定晶体管栅极长度。
Source and drain regions in the semiconductor may define a transistor gate length.
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