而高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor)作为场效应晶体管中的一种，也开始广泛应用于通信、电子等领域，它具有大功率、低噪声、高频、高速等特点。
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主功率晶体管的漏极电流与感测晶体管的漏极电流的比率的范围典型地在20:1到800:1(或更大)之间。高电子迁移率晶体管(HEMT)是用于实现高功率应用中的高性能的具有吸引力的器件，这是因为它们具有高电子迁移率和宽带隙，且能够用与已为硅和现代化合物半导...
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在解决这两个难题时，利用了富士通研究所开发的碳化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)技术。接收机方面，采用可实现比以往速度更高、噪声更低的放大器的InP HEMT技术，开发出了在较宽频带具有较高放大率的低噪声放大...
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赝高电子迁移率晶体管 PHEMT
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高电子迁移率晶体管(HEMT)是利用异质结和调制掺杂技术制成的具有超高迁移率的场效应晶体管。
High electron mobility transistors (HEMT) is one of field effect transistors, which is made by modulation doped heterostructure technology and possess super high electron mobility.
富士通公司指出使用氮化镓高电子迁移率晶体管技术后，新型放大器功率比目前使用砷化镓晶体管的放大器的功率提高了6倍多。
Fujitsu points out that using GaN HEMT technology allows more than 6 times the output power of existing amplifiers using gallium-arsenide (GaAs) transistors.
本文围绕射频集成电路中应用的无源硅基片上螺旋电感和有源器件砷化镓高电子迁移率晶体管进行了相关的研究，得到了一些新的结果和新的建模方法。
This paper focuses on the modeling of the passive silicon-chip spiral inductors and active GaAs HEMT, and obtains some new results and new modeling method.
高电子迁移率晶体管（英语：High electron mobility transistor, HEMT），也称调制掺杂场效应管（modulation-doped FET, MODFET）是场效应晶体管的一种，它使用两种具有不同能隙的材料形成异质结，为载流子提供沟道，而不像金属氧化物半导体场效应管那样，直接使用掺杂的半导体而不是结来形成导电沟道。砷化镓、砷镓铝三元化合物半导体是构成这种器件的可选材料，当然根据具体的应用场合，可以有其他多种组合。例如，含铟的器件普遍表现出更好的高频性能，而近年来发展的氮化镓高电子迁移率晶体管则凭借其良好的高频特性吸引了大量关注。高电子迁移率晶体管可以在极高频下工作，因此在移动电话、卫星电视和雷达中应用广泛。
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