...迁移率晶体管（HEMT）的制作方法，可用于短沟道及低源漏电阻高迁移率晶体管（HEMT）的制作。背景技术高电子迁移率晶体管（HEMT）是一种利用异质结或调制掺杂结构中二维电子气高迁移率特性的场效应晶体管，其低温、低电场下的电子迁移率比通常高质量的体半导体...
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...化镓(GaN-on-Silicon)制程技术，如此一来，不仅成本可优于体块式氮化镓(Bulk-GaN)，以矽基氮化镓制成的高电子迁移率电晶体(HEMT)也可比同级的SiC元件便宜50%以上。但即使如此，矽基氮化镓功率元件价格仍是相似矽功率元件的二至三倍以上。
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...的制作方法，属于微电子技术领域，涉及半导体器件制作，该方法采用了化学机械抛光的方式将假栅去除，然后制备侧墙，降低沟道长度的同时实现栅的自对准，可以生产出一种短沟道及低源漏电阻的高迁移率晶体管（HEMT），可以进一步提高高迁移率晶体管（HEMT）的频率和特性，并且制作方法简单易行。
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...材料作为第三代半导体的代表，是继Si、GaAs材料之后的一种重要半导体材料，由于具有大禁带宽度、高临界场强以及耐高温抗辐照等优良特性，受到人们的广泛关注。GaN基高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）在微波及毫米波领域所展示优异性能，得到广泛而深入的研究。
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GaN HEMT 高电子迁移率晶体管 ; 率晶体管
InP HEMT 高电子迁移率晶体管
GaAs HEMT 高电子迁移率晶体管
Low noise HEMT 高频场效应管
Metamorphic HEMT 晶体管
MIS-HEMT 薄势垒层增强型
MM-HEMT 变缓冲层高迁移率晶体管
·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
The integration technologies of RTD with HEMT, HBT and CMOS devices are first introduced.
首先对RTD与化合物半导体HEMT, HBT以及硅cmos器件的集成工艺进行了介绍。
At last, the effect of rapid thermal annealing on the electrical properties of HEMT material is studied.
最后我们研究了快速退火对HEMT材料电学性能的影响。
This experiment lays a foundation for the optimization of RTT and RTD HEMT monolithic integration circuit development.
实验为RTD/HEMT串联型RTT性能的优化和RTD/HEMT单片集成电路的研制奠定了基础。
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