基于电脉冲触发可逆电阻转变效应的阻变存储器(RRAM)作为一种新型的存储器，由于具有结构简单、速度快、功耗低等优点，被认为是下一代非挥发性存储器的有力竞争者之一。
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阻变存储器(resistance random access memory,RRAM)无源交叉阵列由于其结构简单、密度高、易3D集成等优点而得到广泛的关注,是RRAM实现高存储密 ..
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In this paper,we investigate into the design of PRAM(Phase Change Random Access Memory) and RRAM(Resistive Random Access Memory) in the quest for high density solutions of next generation nonvolatile memories.
本文以下一代非挥发存储器的高密度解决方案为中心,针对相变存储器和阻变存储器分别进行了探索性的研究。
参考来源 - 高密度非挥发存储体系的建模与设计·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
本发明公开了一种阻变存储器的检测电路及检测设备。
The invention discloses a detection circuit and a detection device of a resistance changing memory.
本发明提供了一种有机阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。
The invention provides an organic resistive random access memory and a preparation method thereof, which belong to the technical field of very large scale integrated circuit.
本发明提供了一种有机阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。
The invention provides a polymorphic organic resistive random access memory and a preparation method, and belongs to the technical field of a super-large-scale integrated circuit.
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