其中,基于薄膜材料的可逆电致电阻效应的阻变随机存取存储器(resistive random access memory, RRAM),因其具有简单的器件结构、低压低功耗操作、高速擦写和极佳的尺寸缩小性等优势,并且其材料与当前CMOS...
基于1个网页-相关网页
Resistive Random Access Memory
其中,基于薄膜材料的可逆电致电阻效应的阻变随机存取存储器(resistive random access memory, RRAM),因其具有简单的器件结构、低压低功耗操作、高速擦写和极佳的尺寸缩小性等优势,并且其材料与当前CMOS...
基于1个网页-相关网页