模拟腕表电路采用CMOS的工艺设计完成，在MOS型集成电路中MOS（金属氧化物半导体）是最基本的组成单位。MOS型集成电路具有功耗低，抗干扰能力强和速度快的特点，是一种性能优异的集成电路。
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金属氧化物半导体（Metal Oxide Semiconductor）； metal oxide semiconductor MOS (Metal Oxide Semiconductor) 是一种利用氧化铝、氧化矽所制成的半导体，它能容纳许多种组件，...
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...将增加台厂组装代工比重，而索尼更派出技术人员进驻友达，双方携手开发主动有机发光二极体（AMOLED）与金属氧化物半导体（IGZO）的高阶电视面板，台厂制造结合日本的技术、订单与品牌，成为台日联手的良好示范。
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互补金属氧化物半导体 CMOS ; CMOS Complementary Metal Oxide ; [电子] Complementary Metal Oxide Semiconductor ; complementary metal oxide semiconductor
沟道金属氧化物半导体 nmos ; n channel mos ; PMOS ; nchannelmosn
埋沟金属氧化物半导体 bcmos ; buried channel mos
型槽金属氧化物半导体 v groove mos ; vmos ; v groove metal oxide semiconductor
复合金属氧化物半导体 combined metal oxide semiconductor
金属-氧化物-半导体 MOS ; metal oxide semiconductor ; complementary metal-oxide semi-conductor
金属氧化物半导体构造 mos structure
耐熔金属氧化物半导体 refractory mos
垂直金属氧化物半导体 vertical metal oxide semiconductor
一种制造金属氧化物半导体的方法(500)。
A method of manufacturing a metal oxide semiconductor (500).
将金属氧化物半导体的栅极构造蚀刻(510)。
A gate structure of the metal oxide semiconductor is etched (510).
本发明提出一种集成电路及金属氧化物半导体元件中判断漏电流的方法。
The present invention brings forward a method for determining leakage currents in integrated circuit and metal oxide semiconductor element.
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