重掺杂指的是掺入半导体材料中的杂质量比较多。
... high density memory 高密度存储器 high density packing 高密度封装 high doping 重掺杂 ...
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和重掺杂能带变窄 band gap narrowing ; BGN
重掺杂硅单晶 heavily-doped monocrystalline silicon ; heavily doped CZSi
重掺杂区 heavily doped region
重掺杂硅 heavily doped silicon
重掺杂籽晶 heavilydopedseed
重掺杂材料 heavily doped material
重掺杂硅片 heavily doped silicon wafer
重掺杂半导体 [电子] heavily-doped semiconductor
重掺杂直拉硅 heavily doped Czochralski silicon
In this work, some important processes such as ion implantation for the source/drain regions high doping and thermal oxidation for the gate dielectric materials are investigated.
因此,本文的工作重点,是对GaN MOSFET器件制作中的源漏区离子注入重掺杂和栅介质层高温热生长工艺进行研究。
参考来源 - 基于GaN MOS器件的注入和氧化工艺研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
电极接触孔处采用重掺杂，减小接触电导损失。
Electrode contact hole USES heavily doped for reducing contact conduction loss.
反式聚乙炔在重掺杂时会出现孤子晶格，在能隙中央形成孤子能带。
Because soliton lattice should be emerged in trans polyacetylene whe.
研究了重掺杂直拉硅单晶中掺杂元素硼、磷、砷、锑对氧沉淀及其诱生二次缺陷行为的影响。
The effect of dopants on oxygen precipitation and induced defects in heavily doped Czochralski (CZ) silicon is investigated.
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