...的HBT器件设计中，为了改善器件的高频性能，通常基区掺杂浓度很高，此时需考虑载流子简并和重掺杂能带变窄（band gap narrowing, BGN）效应对器件电学特性的影响。
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...器件设计中，为了改善器件的高频性能，通常基区掺杂浓度很高，此时需考虑载流子简并和重掺杂能带变窄（band gap narrowing, BGN）效应对器件电学特性的影响。
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和重掺杂能带变窄
And heavy doping band narrowed
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