结深 定义为从硅中表面到扩散层浓度等于衬底浓度处之间的距离,一般以微米为单位计量。 结深的测量，通常在100mlHF（49%）加几滴HNO3d的混合液中对磨斜角（1°～5°）的样品做化学染色，有时只要HF就够了。如果样品置于强光下照一两分钟，P型区要比n型区染色重。利用Tolansky干涉条纹技术，可精确测量0.5～100μm的结深。
...米甚至纳米级的CMOS制造工艺中，为使半导体器件能符合各种 各样的应用，器件中的掺杂剖面(Doping Profile)和结深(Junction Depth)都有 了许多的改变，然而这些工艺参数都会影响到器件对静电放电(Electrostatic Discharge, ESD)的防护耐受度。
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... 太阳能电池结构 Solar cell structure 结深 the depth of the junction 掺杂水平 doping level ...
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检测扩散结深和掺杂浓度。
在半导体芯片制造过程中，结深是重要的工艺参数之一。
The depth of diffusion junction(Xj)is one of the most important parameters in wafer Fab.
二周在生活和创作中的战士情结和名士情结深刻影响了其散文风格的形成。
Lu's soldier complex and Zhou's tecluse complex have affected their writing style of prose.
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