砷化铟是由铟和砷构成的Ⅲ一V族化合物半导体材料。
研究人员使用 砷化铟 ( indium arsenide )制成的奈米线,因为它与金属之间不会形成萧特基障壁(Schottky barrier),电子可以很容易穿透奈米线与超导电极间的介面,而这也是产...
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目前常用的霍尔元件材料是N型硅，它的霍尔灵敏度系数、温度特性、线性度均较好，而锑化铟(InSb)、砷化铟(InAs)、锗(Ge)等也是常用的霍尔元件材料，砷化镓(GaAs)是新型的霍尔元件材料，今后将逐渐得到应用。
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铟 中文名称：砷化铟英文名称：indiumarsenideCAS号：1303-11-3EINECS号： 成都中建材光电材料有限公司 成都中建材光电材料有限公司相关产品 ￥电议 四川 成都 金币: 179枚 联系
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...二砷化三锌;砷化锌;Zinc arsenide;zinc arsenide 砷化铟;indium arsenide;indiam arsenide;indium arsenide;indium monoarsenide 砷化镓;Gallium arsenide;gallium arsenide;gallium arsenide;gallium monoarsenide;gallium monoarsenide ..
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德国汉堡大学的昆德勒及其同事，也曾对砷化铟—属混合结构的EMR做过广泛的研究。
Dirk Grundler and his colleagues at Hamburg University in Germany have carried out extensive studies of EMR in indium arsenide-metal hybrid structures.
Luxtera的设计消除了使用昂贵的III - V化合物半导体材料(如砷化镓和磷化铟)的必要。
Luxtera's design eliminates the need to use expensive group iii-v compounds, such as gallium arsenide (GaAs) and indium phosphate (InP), in the semiconductors.
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