vi. drain
misc. drain electrode
漏极(DRAIN)：功率MOSFET的漏极，同时也用于给内部高压电流源充电，最高耐压650V。
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... drain current 漏极电流 drain electrode 漏极 drain substrate junction 漏极衬底结 ...
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共漏极 [电子] common drain
轻掺杂漏极 lightly doped drain ; LDD
漏极电流 IDrain ; ID
扩散漏极 diffused drain
共漏极放大器 common-drain amplifier
型掺杂的漏极 n doped drain
漏极电压 drain voltage ; voltage, drain
硅化物漏极 silicided drain
型掺杂漏极 p doped drain
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浮动栅极定位于源极区与漏极区之间。
The floating gate is positioned between the source and drain regions.
youdao
与漏极开路输出的六反相器。
Hex inverter with open-drain outputs.
在半导体中的源极区和漏极区可以限定晶体管栅极长度。
Source and drain regions in the semiconductor may define a transistor gate length.
漏极，栅极（Gate——G，也叫做门极），源极(Source——S)， 漏极（Drain——D）场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。
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