目前有两种不同的应变硅技术已经得到了验证：1）通过晶体管模块（transistor module）优化引入局部应变工程；2）通过锗硅(SiGe)外延工艺引入的全硅片应变(在绝缘体上硅SOI上，用层转移技术引入全硅片应变)。
基于12个网页-相关网页
逆变器采用绝缘栅双极晶体管模块制造。
The inverter can be manufactured with the insulation gate bipolar transistor module.
这就是说，电路并不在晶体管层次进行设计，而是在门电路、触发器和存储模块的级别进行设计的。
This means, that the circuit is not designed on the level of transistors , but on the level of gates, flips-flops.
随意地，如果用锗晶体管取代硅晶体管，可使模块工作的输入电压最小为0.25 V。
Optionally, the modules can operate with input voltages as low as 0.25v if you replace the silicon transistors with germanium devices.
应用推荐