扩展了对应SPI总线和I2C总线的FRAM产品的数据保持(Data Retention)温度以及读写耐受性能指标,使其可以适用于以工厂自动化(FA)为主的对温度和读写耐受性要求严格的应用。
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Through ONO quality improvement and cell sur- rounding by SIN liner, cell data retention ability could longer than 10 years.
通过改善浮栅和控制栅层间介质氧化硅-氮化硅-氧化硅(ONO)的质量及采用存储单元覆盖氮化硅保护层等优化措施,存储单元的数据保持能力能够大于10年。
参考来源 - 0.5μm OTP工艺开发与器件特性研究·2,447,543篇论文数据,部分数据来源于NoteExpress
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