abbr. FET
misc. field effect transistor
栅极电压 场效应晶体管(Field Effect Transistor)是一般控制栅极、源极、漏极、背栅极4个端子的半导体元件，通过施加于栅极的电压，控制源极和漏极之间的电流。
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...、贮油罐、助力油缸，其特征是设有直流电机、方向盘转矩传感器、车速传感器、控制单元，控制单元设有由一个场效应晶体管(MOSFET)作为开关元件构成的驱动直流电机的驱动电路。
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... field investigation 现场试验，运转试验 fieldistor 场效应晶体管，场控晶体管 field-labor cost 工地安装费用；现场安装费用 ...
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有机场效应晶体管 organic field-effect transistor ; OFET ; OTFT
薄膜场效应晶体管 Thin Film Transistor ; tffet ; thin film fet
结型场效应晶体管 JFET ; Junction Field Effect Transistor ; junction type field effect transistor ; JEETs
功率场效应晶体管 MOSFET ; Power MOSFET ; VDMOS ; power field-effect transistor
绝缘栅场效应晶体管 [电子] insulated gate field effect transistor ; IGFET ; [电子] isolated gate fet ; MOSFET
砷化镓场效应晶体管 gaas fet ; gallium arsenide fet ; gallium arsenide field effect transistor ; GaAs Field-Effect Transistor
面结型场效应晶体管 jfet ; junction type field effect transistor
增强型场效应晶体管 enhancement mode fet ; normally off fet ; Enhancement type field effect transistor ; emfet
沟道场效应晶体管 slot field-effect transistor ; p channel fet ; nfet ; pfet
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场效应晶体管，特别是双扩散场效应晶体管，及其制造方法。
Field effect transistor, especially a double diffused field effect transistor, and method for the production thereof.
本发明涉及一种具有垂直沟道结构的场效应晶体管，及它的制备方法。
The present invention relates to one kind of FET with vertical channel structure and its preparation process.
第一，在场效应晶体管关断期间钳位电压是800伏特，高于600伏特。
First, the clamping voltage during the MOSFETs turning off is 800V, what is higher then of 600V.
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