第一个单电子晶体管由贝尔实验室的Fulton等人制成。典型的单电子晶体管的量子点和外界被两个电容器和两个隧道结隔开。库仑菱形是这种电路具备的独特性质。而单电子充电效应是库仑菱形的起因。
Thirdly, we utilize the orthodox theory to carry on the characteristic analysis of the single-electron transistor.
最后运用单电子晶体管的SPICE模型对其进行了I-V特性的模拟,同时对结果进行了分析。
参考来源 - 一种单电子晶体管的SPICE模型·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
单电子晶体管是几年前才发现的一种功能奇特的新型器件。
The single-electron transistor is a kind of newly found fascinating device in recent years.
基于传统单电子理论，阐述了单电子晶体管的结构、原理、特点及应用。
The structures, principles, characters and applications of single electron transistors are clarified, based on the traditional theories.
大多数硅基单电子晶体管的制备方法可以很好地与主流的CMOS工艺兼容。
Most of the fabrication methods of silicon single-electron transistors can be perfectly compatible with the si complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology.
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