同时现代电力电子器件工艺日臻成熟，出现了电力晶体管（GTR）门极可关断晶闸管（GTO），功率场效应晶体管（VDMOS），特别是绝缘门极晶体管（IGBT），MOS可控晶闸管（MCT）的开发成功，使PMBDCM的功率驱动电路的可靠性和稳定性得到保障，因此PMBD...
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Hi-Per VDMOS 高性能场效应管
RF Power VDMOS 射频功率VDMOS晶体管
power VDMOS 功率VDMOS
VDMOS FET VDMOS场效应管
功率VDMOS power VDMOS
VDMOS transistor VDMOS管
power VDMOS device 功率VDMOS器件
low-voltage VDMOS 低压VDMOS
buried oxide VDMOS 部分埋氧结构纵向扩散金属氧化物半导体
The 2-D potential model of partial buried oxide VDMOS is obtained in paper.
提出具有部分埋氧结构的功率VDMOS器件的二维势模型。
VDMOS is widely adopted in PDP driver , the damage resulted by secondary breakdown effect can't be ignored .
在PDP驱动电路中的高压功率器件大量采用了VDMOS器件，由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。
In order to describe the characteristics of VDMOS device more intuitively, this paper mainly focuses on the gate charge test.
为了更直观地描述低压大电流VDMOS器件特性，对器件栅电荷特性进行了测量和提取。
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