...在遮蔽氧化层的 底层 无法单独控制接面深度和掺杂物的浓度 用来做为井区布植驱入 为了超浅接面(ultra shallow junction,USJ)的形成进 行研发 井区有最深的接面深度 需要非常高的离子布植能量 百万电子伏特的离子布植...
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...在遮蔽氧化层的 底层 无法单独控制接面深度和掺杂物的浓度 用来做为井区布植驱入 为了超浅接面(ultra shallow junction,USJ)的形成进 行研发 井区有最深的接面深度 需要非常高的离子布植能量 百万电子伏特的离子布植...
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ultra-shallow junction 超浅结 ; 超浅接面
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