在对源漏外延区(SDE)的超浅结(ultra-shallow junction,USJ)进行精确掺杂和对双边接触动态随机存储器DRAM进行p+杂质补偿掺杂的应用中都存在相似的生产问题。
基于8个网页-相关网页
...m 技术 (技术突破, Sep 2009 ) 为呼应对平面元件和非平面元件融合策略的需求,IMEC公司研究超浅接面(Ultra-shallow junctions, USJ)的属性,这些接面的制造方法结合了气相掺杂(Vapor phase doping)和次熔镭射退火(Su...
基于4个网页-相关网页
ultra shallow junction 浅接面 ; 接面
应用推荐