到那个时候，由于控制电流的晶体管门(transistor gate)以及氧化栅极(gate oxide)距离将非常贴近，因此，将发生电子漂移现象(electrons drift)。
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transistor gate electrode 而晶体管闸极的电极 ; 而电晶体闸极的电极
Transistor Gate Pitch 晶体管栅极间距
transistor gate dielectric 制作电晶体闸极电介质
complementary transistor gate [电子] 互补晶体管门
insulated gate bipolar transistor 绝缘栅双极型晶体管 ; 晶体管
dynamic transistor-gate 动态晶体管门
metal gate transistor 金属栅晶体管
diode transistor logic gate 二极管 ; 二极管晶体管 ; 二极管晶体管逻辑门 ; 晶体管逻辑门
Tri-gate Transistor 电晶体 ; 三栅极晶体管 ; 采用三栅极晶体管技术 ; 三闸晶体管
Source and drain regions in the semiconductor may define a transistor gate length.
在半导体中的源极区和漏极区可以限定晶体管栅极长度。
The transistor gate may be formed from first and second gate conductors with different work functions.
晶体管栅极可以由具有不同功函数的第一栅极导体和第二栅极导体形成。
The transistor gate has a distinct advantage over the diode gate in that the transistor amplifies, as well as acts as a gate.
晶体管门电路比起二极管门电路来有一个显著的优点，那就是晶体管除了起门的作用外还能够放大。
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