...对其HfO_2栅介质电学性质和可靠性的影响；分析了HfO_2栅介质中的漏电流机制和应力感应的漏电流(Stress-induced leakage current，SILC)效应以及工艺条件的影响；同时还利用反应溅射方法制备了氮化的HfO_2(HfO_xN_y)栅介质薄膜，...
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...对其HfO_2栅介质电学性质和可靠性的影响；分析了HfO_2栅介质中的漏电流机制和应力感应的漏电流(Stress-induced leakage current，SILC)效应以及工艺条件的影响；同时还利用反应溅射方法制备了氮化的HfO_2(HfO_xN_y)栅介质薄膜，...
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超薄氧化层之漏电量测 借由电容之受压漏电(stress-induced leakage current, SILC)量测结果，比较不同厚度、不同 制程之超薄氧化层材质特性，并借此萃取超薄 氧化层之缺陷密度与分布状态。
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...永久性崩溃( H a r d Breakdown, HBD)外，会有两种新的现象产生，一种是因受应力所导致的漏电流(Stress-Induced Leakage Current, SILC)，另一种是暂时性崩溃(Soft Breakdown, SBD)，如图四所示。
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Under both stress conditions stress induced leakage current follows a power law against stress time with different power factors.
在这两种应力条件下，应力导致的漏电流与时间的关系均服从幂函数关系，但是二者的幂指数不同。
The generation mechanism of stress induced leakage current (SILC) in flash memory cell is studied by experiments.
通过实验研究了闪速存储器存储单元中应力诱生漏电流(ILC)产生机理。
Secondly, the transient characteristics of FN tunneling and hot hole (HH) stress induced leakage current (SILC) in ultra-thin gate oxide are investigated respectively in this dissertation.
其次，本文分别研究了FN隧穿应力和热空穴（HH）应力导致的超薄栅氧化层漏电流瞬态特性。
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