...许多MOS型和结型功率器件，如EXTFET和CoolMOS结构， 以及表面栅、隐埋栅和双栅等静电感应晶体管（Static Induction Transistor），这类单极器件 具有输入阻抗高。易驱动；速度快、频率高；R。
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bipolar static induction transistor 双极型静电感应晶体管
junction gate static induction transistor 结栅静电感应晶体管
junction static induction transistor 结型静电感应晶体管
junction-gate static induction transistor 结栅静电感应晶体管
SIT static induction transistor 静电感应晶体管
power static-induction transistor 功率静电感应晶体管
organic static induction transistor 有机静电感应晶体管
以上来源于: WordNet
The gate source breakdown performance of static induction transistor was studied experimentally.
对静电感应器件的栅源击穿特性做了实验研究。
Methods for improving the high current performance of static induction transistor (SIT) are presented.
描述了改善静电感应晶体管（SIT）大电流特性的新方法。
In order to comprehend schottky gate of organic static induction transistor, chapter two expatiates characteristics of PN junction and schottky junction.
为了理解有机静电感应三极管的肖特基栅极原理，本文在第二章阐述了PN结和肖特基结的特性。
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